Si parla di Qualcomm Snapdragon Gen 4 a pochi mesi dall’uscita dei primi smartphone con l’attuale SoC mobile top di gamma di Qualcomm, lo Snapdragon 8 Gen 3 montato su ROG Phone 8 e Redmagic 9 Pro.
Precedentemente erano emerse indiscrezioni sullo Snapdragon 8 Gen 4, che indicavano essere il primo SoC per smartphone di Qualcomm con core personalizzati dall’azienda a superare le prestazioni del (finora) inarrivabile processore M2 di Apple.
Ora abbiamo un prova da un benchmark leaked, nello specifico quelli di Geekbench 6 e AnTuTu.
Indice
Qualcomm Snapdragon 8 Gen 4: i primi benchmark AnTuTu e Geekbench sono super, più veloce di Apple M2 e vicino a M3
I risultati del becnchmark multi-thread di Geekbecnch 6 leakati competono con l’M3 di Apple (superiori a 10.000 punti).
Lo Snapdragon 8 Gen 4 ha anche ottenuto un impressionante punteggio single-core, confrontandosi con i più recenti SoC della serie M di Apple in questo test.
Per quanto riguarda i risultati di Geekbench 6, negativeonehero ha condiviso su X che lo Snapdragon 8 Gen 4 ha ottenuto un punteggio single-core e multi-core di 2.845 e 10.628, rispettivamente.
Rispetto allo Snapdragon 8 Gen 3, che ha ottenuto un punteggio di 7.249 nel Galaxy S24 Ultra, lo Snapdragon 8 Gen 4 è più veloce del 46% nel test multi-thread e significativamente più veloce nei risultati single-core.
Sono stati condivisi anche i risultati di AnTuTu, che vedete in foto sopra. Il punteggio è di oltre 3 milioni, ovvero circa un milione in più rispetto allo Snapdragon Gen 8 Gen 3 e più del doppio rispetto allo Snapdragon 8 Gen 2.
Ma come è riuscita Qualcomm ha ottenere un incremento prestazionale di oltre il 45% in un solo step generazionale? Le risposte sembrerebbero 2: efficienza e alte frequenze.
Prestazioni del 46% superiori a Snapdragon 8 Gen 3 grazie a un big core a 4 GHz
Digital Chat Station parla infatti delle capacità del sample embrionale delllo Snapdragon 8 Gen 4, ossia di avere un grande a frequenze altissime: “I 4,0 GHz non sono più un sogno” per gli smartphone.
Stando a quanto riportato in passato, Qualcomm ha firmato un accordo con la fonderia TSMC per un non meglio specificato processo produttivo a 3 nm: il silicio di prossima generazione ne trarrà grande beneficio in termini di efficienza energetica, con i core Oryon o Phoenix personalizzati che (presumibilmente) raggiungeranno velocità di clock maggiori grazie a un po’ di spazio in più.
Come già detto, il core Kryo Prime della generazione precedente, che utilizza il nodo avanzato a 4 nm di TSMC, è limitato in fabbrica a 3,3 GHz.
Secondo alcuni informatori, i core efficienti non fanno parte del progetto Snapdragon 8 Gen 4, a causa dei vantaggi innati dei 3 nm. Secondo Digital Chat Station, MediaTek sta adottando misure simili con il suo prossimo SoC Dimensity 9400.